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原位插層聚合法制備聚丙烯酰胺磷酸鋯納米復(fù)合材料及其結(jié)構(gòu)表征

發(fā)布日期:2015-02-22 23:50:49
原位插層聚合法制備聚丙烯酰胺磷酸鋯納米復(fù)合材料及其結(jié)構(gòu)表征和磷酸鋯
原位插層聚合法制備聚丙烯酰胺磷酸鋯納米復(fù)合材料及其結(jié)構(gòu)表征,聚合物/層狀無(wú)機(jī)物納米復(fù)合材料因具有常規(guī)復(fù)合材料所沒(méi)有的結(jié)構(gòu)、形態(tài)及較常規(guī)聚合物基復(fù)合材料更優(yōu)異的性能而引起人們的廣泛關(guān)注[l~3]. !-磷酸鋯(!-ZrP)作為一種合成的結(jié)構(gòu)規(guī)整的層狀 無(wú)機(jī)物,其離子交換容量(600 mmol/l00g)是粘土的6倍,并具有長(zhǎng)徑比可控和粒子尺寸分布較窄等 特點(diǎn)[4],是制備聚合物/層狀無(wú)機(jī)物納米復(fù)合材料的優(yōu)良基體.以往的研究工作主要集中于金屬氧化 物/!-ZrP層柱材料和聚電解質(zhì)膜兩類復(fù)合材料[5,6],有關(guān)聚合物/!-ZrP插層復(fù)合材料的研究報(bào)道較 少[7~9].聚丙烯酰胺(PAM)是一種具有廣泛用途的水溶性高分子,作為聚電解質(zhì),將其與層狀無(wú)機(jī)物 如粘土[l0]、氧化石墨[ll]等進(jìn)行納米復(fù)合,可以制得具有潛在應(yīng)用前景的多層復(fù)合膜,廣泛應(yīng)用于滲 透膜、生物傳感器、抗靜電涂層和非線性光學(xué)器件等領(lǐng)域[l2,l3].
本文以!-ZlP為母體材料,以甲胺作為!-ZlP的層離試劑,原位插層聚合法制備聚丙烯酰胺磷酸鋯納米復(fù)合材料及其結(jié)構(gòu)表征,用單體原位插層聚合法制備水溶性的 PAM/!-ZIP納米復(fù)合材料(記為PAM/!-ZIP),并通過(guò)X射線衍射(XRD)及透射電鏡(TEM )等對(duì)材料 的結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行表征.
1實(shí)驗(yàn)部分
l.l儀器與試劑KS-300超聲儀,寧波科生儀器廠生產(chǎn);有聚四氟乙烯內(nèi)襯的不銹鋼反應(yīng)釜.
ZiOCl2 _8H2O,分析純,上海化學(xué)試劑公司產(chǎn)品;鹽酸、氫氟酸和質(zhì)量分?jǐn)?shù)為85%的磷酸等均為 分析純,上海振興化工一廠產(chǎn)品;甲胺(Methylamine)水溶液(質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25% ~30%)和丙烯酰胺 (Acrylamide)為化學(xué)純,中國(guó)醫(yī)藥集團(tuán)上海化學(xué)試劑公司產(chǎn)品;過(guò)硫酸銨為分析純,上海愛(ài)迪試劑廠有 限公司產(chǎn)品.
l.2樣品的制備用水熱法在優(yōu)化的條件下制得!-ZrP晶體,并經(jīng)XRD表征確證為!-ZrP,其層間距 為 0. 76 nm[l4].
樣品制備的具體步驟如下:取一定量的ZrOCl2_8H2O放入燒杯中,原位插層聚合法制備聚丙烯酰胺磷酸鋯納米復(fù)合材料及其結(jié)構(gòu)表征,加入適量的蒸餾水,溶解均 勻,在攪拌下滴加一定量的濃磷酸,形成凝膠液,調(diào)節(jié)體系酸度使pH <l,磷酸濃度為一定值.將該凝 膠液轉(zhuǎn)入反應(yīng)釜中并置于恒溫烘箱中,在一定溫度下反應(yīng)一定時(shí)間后取出,自然冷卻至室溫,產(chǎn)物用 蒸餾水充分洗滌至pH!5,于60 C真空干燥,研磨,得到!-ZrP粉末樣品.
稱取一定量的用水熱法合成的!-ZrP粉末樣品分散于水溶液中,使液固比為l00 mL/g,控制甲胺與!7^的摩爾比為以胺):以2^)=2.5,超聲使其膠體化,獲得!71?的甲胺層離體系,其中部分樣 品經(jīng)充分洗滌、離心分離、烘干后即得甲胺/!-ZIP插層化合物(記為MA-ZrP),XRD表征顯示其層間 距為1.30 nm.另外稱取一定量的丙烯酰胺(AM)單體加入到!-ZrP的甲胺層離體系中,超聲分散后轉(zhuǎn) 入帶有回流裝置的反應(yīng)瓶中,加入單體質(zhì)量分?jǐn)?shù)0.5%的過(guò)硫酸銨作為引發(fā)劑,在攪拌下于75 C進(jìn)行 熱聚合,得到粘稠的淡黃色溶液,然后澆鑄成型,置于75 C烘箱中干燥,得到透明的淺黃色、表面光 滑、硬而脆的薄片樣,即為PAM/!-ZIP納米復(fù)合材料.
1.3 結(jié)構(gòu)表征用日本理學(xué)出83^0爪3^/1^型轉(zhuǎn)靶義射線衍射儀(義尺0)(仏&,"=0.154 18醒, 管壓40 kV,管流20 mA)表征合成樣品的結(jié)構(gòu);用H-800透射電鏡(TEM,加速電壓100 kV)對(duì)納米復(fù) 合材料進(jìn)行結(jié)構(gòu)和形貌分析,用帶有冷凍裝置的Leica EM UC6型超薄切片機(jī)進(jìn)行冷凍超薄切片制備 TEM測(cè)試所需樣品,切片厚度約為60 ~70 nm.
2結(jié)果與討論
由于丙烯酰胺(AM)分子中的酰胺基上N原子的電子云密度降低,與其相連的H原子或多或少地 受到其誘導(dǎo)影響,變得比較活潑,較易質(zhì)子化(與氨相比)或形成氫鍵,因此,可以先將丙烯酰胺單體 引入層間,與!-ZIP層板上的P—OH上的H發(fā)生質(zhì)子化作用或形成氫鍵,進(jìn)而原位聚合形成PMA/ !-ZIP納米復(fù)合材料.由于!-ZIP的層間距小,而且在水溶液中不易溶脹,嘗試直接將丙烯酰胺分子嵌 入層間,但未獲成功.因此,本文先用甲胺使其膠體化,再進(jìn)行丙烯酰胺的嵌入和聚合.
圖1為制備樣品的XRD譜圖.圖1譜線a為甲按/a-ZrP插層化合物(MA-ZrP)的XRD譜圖,位于 2# = 6. 8。的(002)面衍射峰相應(yīng)的層間距d = 1. 30 nm.圖1譜線J為!-ZIP質(zhì)量分?jǐn)?shù)5%的納米復(fù)合材 料的XRD譜圖,其在低角處的(002)面衍射峰已消失,而在2# =22。左右出現(xiàn)一個(gè)寬峰,對(duì)應(yīng)聚合物 PAM的衍射峰,表明形成了 PAM/a-ZiP層離納米復(fù)合結(jié)構(gòu).當(dāng)!-ZIP的質(zhì)量分?jǐn)?shù)增大到10%時(shí), 在2#=22。左右同樣有一個(gè)對(duì)應(yīng)于PAM的衍射峰包,而相應(yīng)于(002)面的衍射峰移向更低角,位于 2#=5.9。,其d002 = 1.50 nm,比甲胺/a-ZiP插層化合物(圖1譜線a)的層間距值增大0.20nm,表明 PAM分子鏈已嵌入a-ZiP層間形成了插層納米復(fù)合結(jié)構(gòu).由于丙烯酰胺分子厚度約為0.37 nm[5], 可以推斷,PAM分子在a-ZiP層間區(qū)域主要以雙分子鏈平行于無(wú)機(jī)物片層的方式排布而使其層間距 擴(kuò)大.
圖2是PAM/5%a-ZiP納米復(fù)合材料冷凍超薄切片樣品的TEM圖像,原位插層聚合法制備聚丙烯酰胺磷酸鋯納米復(fù)合材料及其結(jié)構(gòu)表征,其中的黑色細(xì)線條為復(fù)合材 料中的無(wú)機(jī)物片層,淺色區(qū)域?yàn)榫酆衔锘w.由圖2可以看出,無(wú)機(jī)物a-ZiP的薄片比較均勻地分散 在PAM基體中,偶爾會(huì)有少量的團(tuán)聚現(xiàn)象(圖2中C區(qū)域)圖2中A區(qū)為片層無(wú)序的層離態(tài),而B(niǎo) 區(qū)域則反映了部分有序插層結(jié)構(gòu)的存在,相應(yīng)的層間距約為1.4 ~1.7 nm,可能由于插層結(jié)構(gòu)所占的 比例較小,所以在其XRD譜圖中(圖1譜線J) 2# =5. 9。附近的插層峰消失.
以上結(jié)果表明,采用單體原位插層聚合法,能夠成功地將丙烯酰胺單體在聚合過(guò)程中嵌入并穩(wěn)定 存在于a-ZiP層間,獲得納米復(fù)合材料.在無(wú)機(jī)物a-ZiP質(zhì)量分?jǐn)?shù)低于5%時(shí),能夠形成層板剝離的層 離型納米復(fù)合結(jié)構(gòu),而當(dāng)a-ZiP質(zhì)量分?jǐn)?shù)大于5%時(shí)則能夠獲得具有插層結(jié)構(gòu)的PAM/a-ZiP納米復(fù)合。
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